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宁夏中欣晶圆申请低氧单晶硅专利提升硅材品质的革命性进展!

来源:华体会登录界面    发布时间:2025-01-14 17:18:41

  在当今科技迅猛发展的时期,新能源行业,特别是光伏产业,正处在改写全球能源格局的关键时刻。在这其中,单晶硅作为光伏组件的核心材料,其品质的提升至关重要。而近期,宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司(下称“中欣晶圆”)申请的“低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒”专利,无疑为这一行业带来了令人瞩目的新进展。

  根据国家知识产权局的消息,这项专利的申请日期为2024年6月,公开号为CN119121378A,显示了中欣晶圆在单晶硅制备领域的前瞻性布局。这项专利的独特之处在于其能够大大降低单晶硅中的氧含量,同时保障硅材的整体品质,为光伏产业链的优化提供了新思路。

  光伏行业在经历了几轮价格战及技术革命之后,品质的提升与稳定变成了公司竞争的核心。何为单晶硅的品质?在光伏板中,单晶硅的纯度、结构完整性、氧含量等指标决定了其转换效率和常规使用的寿命。尤其是在全球对绿色能源需求日益提升的背景下,单晶硅的质量优劣直接影响到光伏组件的市场竞争力。

  近年来,随技术的慢慢的提升,单晶硅的生产的基本工艺一直在优化,然而单晶硅中氧元素的含量始终是制约其品质的“硬伤”。根据业内专家分析,氧含量过高不仅会影响硅片的导电性,还可能会引起发热和裂纹,进而影响光伏电池的整体性能。因此,中欣晶圆在这一领域的技术突破,尤其是在拉晶工艺中的创新,显得很关键。

  中欣晶圆的低氧单晶硅制备方法主要是通过调整加热器的位置与施加水平磁场来实现。该专利的首要步骤是调节加热器,使其升至硅熔液液面上方,以有效降低单晶硅中的氧含量。这一过程是通过无形的控制与监测相结合,使熔体温度的均匀分布得以保障,进而促进单晶硅的结晶质量提升。

  施加的水平磁场和加热器的优化位置调整,被证明能够有效抑制液面对流,降低杂质的掺入。这一方法的提出,不仅体现了中欣晶圆在单晶硅制备技术上的系统思考,也为整个行业提供了一种可借鉴的技术路径。这种技术的实现,意味着未来光伏组件的效率将有望通过材料本身的优化而实现质的飞跃。

  随着双碳目标的推进和绿色能源政策的落地,光伏行业正迎来前所未有的发展机遇。全世界内,多国政府正在加快光伏项目的部署,预计未来几年内市场将呈现爆发式增长。如中国的光伏生产大国地位,成为全世界最大组件生产国的同时,也在不断加大研发投入,推动技术升级。

  然而,无论是企业布局还是政策导向,终究将制约产业高质量发展的仍然是技术与品质的竞争。随着中欣晶圆这一技术的面世,其他光伏企业在材料品质改进方面也将面临新的挑战与机遇。这不仅是单晶硅行业的一次技术进步,更是整个光伏产业在高水平质量的发展道路上的一块重要基石。

  中欣晶圆申请的低氧高品质单晶硅专利,标志着中国在光伏材料研发领域再一次走在了世界前列。对于光伏产业来说,这不仅是技术层面的创新,更是对未来能源转型的一次全面布局。未来,随着更多技术的出现和应用,光伏行业将迎来更大的发展空间。

  然而,技术的进行并非一蹴而就,行业内各大企业、研究机构都需加强合作,推动更广泛的技术交流与共享,确保单晶硅的生产技术不断趋向成熟。同时,也希望监督管理的机构能够为行业发展提供更规范的平台,助力实现光伏产业的全面、可持续发展。

  在未来的日子里,期待看到更多关于单晶硅领域的技术革新,以及它为光伏行业带来的全新机遇与挑战!通过科学技术进步与交流合作,我们有理由相信,光伏产业的未来将更加璀璨!返回搜狐,查看更加多

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